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FIB制样介绍
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FIB基本原理
FIB(Focused Ion Beam,聚焦离子束)是将离子源(如镓)产生的离子束经过离子枪加速,并利用电透镜聚焦成非常小尺寸(纳米级)的显微切割仪器。可以实现微、纳米级尺度的表面形貌加工。通常会配置高分辨的扫描电镜(SEM),用于切割位置的定位及新鲜截面的成像,也就是常说的双束FIB。
FIB设备介绍
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FIB优势
FIB是最精密,最微细的加工方法之一,
是微纳 米加工技术的基础;
污染少,特别适用于对易氧化的金属、
合金材料合高纯度半导体材料的加工;
无加工应力,热变形等级小,加工质量高,
适合于对各种材料或零件的加工。
主要参数
FIB (Ion Beam)
30KV 1.1pA,≤4nm
500V,97pA,≤500nm
SEM (E Beam)
TLD, UC-mode ON, 1 kV,
WD=1.5~2mm,1.6~6.3 pA
Measured value ≤0.7 nm
FIB基本应用
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集成电路的诊断与修改 |
Cross-section截面制备 |
制作透射电镜样品 |
FIB应用示例
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