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FIB制样
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  • 产品简介 / Introduction

    FIB制样介绍

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    FIB基本原理


    FIB(Focused Ion Beam,聚焦离子束)是将离子源(如镓)产生的离子束经过离子枪加速,并利用电透镜聚焦成非常小尺寸(纳米级)的显微切割仪器。可以实现微、纳米级尺度的表面形貌加工。通常会配置高分辨的扫描电镜(SEM),用于切割位置的定位及新鲜截面的成像,也就是常说的双束FIB。

    IMG_6307_副本1.jpg


    FIB设备介绍

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    FIB优势

                FIB是最精密,最微细的加工方法之一,

                是微纳 米加工技术的基础;

                污染少,特别适用于对易氧化的金属、

                合金材料合高纯度半导体材料的加工;

                无加工应力,热变形等级小,加工质量高,

                适合于对各种材料或零件的加工。

    主要参数

                    FIB (Ion Beam)

                   30KV 1.1pA,≤4nm

                   500V,97pA,≤500nm

                   SEM (E Beam)

                   TLD, UC-mode ON, 1 kV, 

                   WD=1.5~2mm,1.6~6.3 pA   

                   Measured value ≤0.7 nm

    IMG_6300_副本小.jpg



    FIB基本应用

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    集成电路的诊断与修改

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    Cross-section截面制备      

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     制作透射电镜样品

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    FIB应用示例

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    QQ图片20220509140327_副本.png

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