AES介绍

———————————————————————————————————————————————————

AES基本原理

      俄歇电子能谱（AES）是一种利用俄歇效应进行成分分析的表面分析技术，通过检测样品表面逃逸出的俄歇电子的能量和数量，达到对样品表面元素组成的定性和半定量分析。俄歇电子能谱是除XPS之外的另一种重要的表面成分分析方法，广泛地应用于化学和物理研究领域以及半导体、电子、冶金等生产行业。

      入射电子束和样品原子作用，可以激发出原子的内层电子而形成空穴。在外层电子会向内层跃迁过程中会释放出能量，这一能量将核外另一轨道的电子激发而形成自由电子的现象被称为俄歇效应。俄歇电子的能量具有元素特征性，利用这一特性可以对样品组成进行分析。

AES设备介绍及工作模式

———————————————————————————————————————————————————

仪器能力         

                获得的信息：元素(Li~U)

                采集深度：5-75Å

                空间分辨率：8nm

                成分检出限：0.1at%

                深度剖析：具备 (Ar+ gun)

                定量能力：半定量

AES基本应用

———————————————————————————————————————————————————

 材料表面微小污染物成分分析 （Micro contaminant analysis on solid surface)

 材料表面微/纳米级膜层成分及厚度表征 （µm/nm coating layer composition and thickness analysis)

 器件微区域的成分表征 (Micro area composition characterization）

 多层薄膜层深分布的表征 （Multi-layers depth profile analysis)

AES应用示例

———————————————————————————————————————————————————