华南检测技术：深入解析芯片IV曲线与SAT测试案例

一、芯片案例背景：芯片检测的挑战与需求

在最近的一个项目中，我们收到了客户送来的1Pc芯片样品，要求进行I-V测试、X-ray扫描、SAT扫描。这些测试对于评估芯片的性能和可靠性至关重要。我们的专业团队立即着手，以确保为客户提供准确的芯片检测结果。

二、芯片分析过程：深入的芯片检测技术

1. 外观检查：

首先，我们使用光学显微镜对芯片正表面进行了细致的外观检查。结果显示芯片正表面存在孔洞，疑似烧伤痕迹，这可能是由于电过载（EOS）造成的损伤。

2. X-Ray测试：

进一步的X-Ray射线检查揭示了芯片内部键合线存在断线形貌，这进一步证实了EOS损伤的假设。X-Ray测试是芯片检测中不可或缺的一环，它能够透视芯片内部结构，发现潜在的物理损伤。

3. SAT检查：

SAT（超声波扫描显微镜）检查进一步确认了我们的发现。检查显示芯片表面及引线框表面均有明显分层形貌，这是EOS损伤的直接证据。SAT检查以其高分辨率和非破坏性特点，在芯片检测中扮演着关键角色。

4. 电性能测试：

最后，我们进行了I-V测试，以评估芯片的电性能。测试曲线显示14引脚为开路，而其他引脚测试则显示出明显的曲线。这一结果直接指向了芯片的电性能问题，进一步证实了EOS损伤的影响。

三、芯片分析结果：芯片检测的结论

综合外观检查、X-ray检测、SAT扫描检测及I-V曲线测试的结果，我们推断该芯片在使用过程中存在EOS，导致键合引线损坏而失效。这一结论为客户的后续行动提供了明确的指导，帮助他们理解芯片失效的原因，并采取相应的措施。

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广东省华南检测技术有限公司专注于失效分析、材料分析、成分分析、可靠性测试、配方分析等检测分析服务，拥有CMA和CNAS资质。公司坐落于东莞大岭山镇，邻近松山湖高新技术产业开发区，配备了行业内先进的测试设备和专业技术团队。华南检测技术有限公司的客户涵盖多个行业，包括半导体、电子元件、纳米材料、通信、新能源、汽车、航空航天、教育和科研等领域。