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IC芯片漏电失效分析全揭秘:金属污染是元凶?丨华南检测

发布日期:2025-09-19阅读量:85479
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  • 摘要: 当终端产品出现功能异常、功耗飙升甚至莫名死机,根源往往指向一颗不起眼的IC芯片漏电失效。如何精准定位这“微观世界”的故障?本文将通过一个经典的芯片失效分析案例,深入剖析漏电根源——金属污染,并展现广东省华南检测技术有限公司如何凭借尖端设备与技术专家,为电子制造企业破解质量谜题,守护产品可靠性。

    芯片失效分析

    在竞争白热化的电子制造业中,整机良率突然下滑、市场返修率莫名升高,往往是采购与质量经理的“噩梦”。而这一切的源头,很可能是一批存在漏电失效隐患的IC芯片。它们如同隐藏的“定时炸弹”,在装配之初难以察觉,却会在用户手中随时引爆。

    如何拆除这些“炸弹”?答案在于精准、专业的芯片失效分析。它不仅是“事后侦探”,更是企业供应链质量管控的核心环节,能直接从源头阻断批量性质量事故。


    一、 微观世界的“谋杀案”:芯片漏电失效之谜

    芯片漏电,如同水管出现看不见的裂缝,电流在不应流动的地方悄然泄漏。其表象单一——功耗增加、功能异常,但根源却错综复杂。

    常见漏电元凶:

    氧化层击穿: 栅氧层存在缺陷,形成导电路径。

    金属电迁移: 电流作用下金属原子迁移,导致导线短路或断路。

    表面污染: 这是最隐蔽且常见的原因之一。微量的金属杂质(如Na, K, Fe, Cu, Al)污染硅晶圆表面,会形成漏电通道,严重劣化器件性能。

    工艺缺陷: 蚀刻不净、离子注入损伤等。

    面对成千上万的微观结构,如何像“神探”一样,从毫米见方的芯片中锁定真凶?这需要一套科学严谨的分析流程与顶级“办案工具”。

    IC芯片漏电失效分析

    二、 高科技“办案工具”:顶尖设备是失效分析的基石

    华南检测深知,没有先进的检测设备,再丰富的经验也无法触及真相。我们构建了业界一流的芯片失效分析实验室,其核心装备足以支撑最复杂的调查任务。

    X-Ray检测 (X-Ray Inspection): 如同给芯片做“胸透”,无需开封即可无损检测内部结构异常,如引线键合断裂、封装气泡、芯片附着异常等。这是分析的第一步,为后续深度解剖提供方向。

    扫描电子显微镜 & 能谱仪 (SEM & EDS): 这是本次分析的“王牌组合”。SEM提供高至纳米级分辨率的表面形貌图像,能看清最细微的缺陷。EDS则能同时对观测点进行元素成分定性和定量分析,直接“指认”出污染的化学成分。它是证明金属污染存在的铁证。

    探针台 (Probe Station): 配合微距探针,可在开封后对芯片的特定电路节点进行精准的电性能测量,精准定位漏电的具体PN结或电路模块。

    反应离子刻蚀 (RIE) / 等离子开封 (Plasma Decapsulation): 采用化学气体等离子体智能去除芯片表面的环氧树脂封装体,实现芯片开封。相比传统的酸腐开封,此法更温和、均匀,能完美保护脆弱的芯片内部结构和键合线,避免二次损伤,为后续SEM/EDS分析提供完美的样品。


    三、 实战案例:消费电子芯片漏电的真相追踪

    某知名消费电子品牌客户反馈,其一批智能穿戴产品出现待机时间骤短的问题。经初步排查,怀疑核心电源管理IC存在漏电。华南检测收到2颗疑似失效(NG)芯片与1颗良品(OK)芯片,受托彻查根源。

    IC芯片漏电失效分析

    我们的分析之旅:

    第1步:电性复测 (Electrical Verification)
    在精密仪器上复测,确认NG芯片的静态功耗(Iddq)远超规格书标准,漏电现象确凿无疑。OK品则一切正常。

    IC芯片漏电失效分析

    第2步:X-Ray初筛 (Non-Destructive Inspection)
    对两颗芯片进行X-Ray扫描对比。结果显示,内部键合线、晶圆附着等均未见明显结构异常,排除封装环节的短路问题。疑点指向芯片晶圆表面。

    IC芯片漏电失效分析

    第3步:精准等离子开封 (Plasma Decapsulation)
    使用等离子开封技术,精准去除封装胶体,完美暴露两颗芯片的晶圆表面和键合点。OK品晶圆表面洁净,而NG品在显微镜下已可见局部颜色异常。

    IC芯片漏电失效分析

    IC芯片漏电失效分析

    IC芯片漏电失效分析

    IC芯片漏电失效分析


    第4步:SEM/EDS终极取证 (The Smoking Gun)
    将开封后的芯片置于扫描电镜(SEM) 下观察。在超高倍数下,NG品晶圆焊点区域可见微观污染物。随后,能谱仪(EDS) 对准该区域进行扫描。
    分析结果: 在异常点清晰地检测到了碳(C)、氧(O)、铝(Al) 元素的异常峰值!而OK品的相同位置则只有正常的硅(Si)和金属焊盘材料。

    IC芯片漏电失效分析

    IC芯片漏电失效分析

    IC芯片漏电失效分析

    IC芯片漏电失效分析

    IC芯片漏电失效分析

    IC芯片漏电失效分析

    IC芯片漏电失效分析

    结论: 该电源管理IC的漏电失效根源,在于晶圆表面制造过程中遭到了金属污染(Al)及有机物(C, O)污染。这些污染物在特定条件下形成了导电通道,导致电流泄漏,功耗增加。


    四、 给采购与质量人员的启示:将失效分析前置为供应链管理利器

    本次案例深刻表明,芯片失效并非偶然。对于电子制造企业而言,等待成品出现问题再分析,代价巨大。

    对于采购人员: 在选择芯片供应商时,应将其工艺质量管控体系和失效分析能力纳入评估体系。要求供应商提供关键的污染控制数据(如SPC统计)。

    对于质量人员: 应建立来料芯片的抽检机制。除了常规的电性能测试,定期委托第三方实验室如华南检测进行破坏性物理分析(DPA) 和芯片失效分析,是对供应链质量进行“体检”的有效手段,能将风险阻断在SMT贴片之前。


    五、 立即行动,为您的产品可靠性保驾护航

    芯片虽小,责任重大。一次精准的失效分析,不仅能解决眼下的质量问题,更能为您的供应链优化、供应商管理提供至关重要的数据决策支持。

    华南检测:https://www.gdhnjc.com/websiteMapimage.png

    广东省华南检测技术有限公司坐落于东莞大岭山,拥有CNAS、CMA等权威资质,其芯片失效分析实验室配备包括高精度SEM/EDS、X-Ray、探针台、等离子开封机等在内的全套尖端设备,专家团队均拥有十年以上分析经验,服务覆盖汽车电子、消费电子、通信等多个领域。

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